在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
Российские бойцы в зоне СВО массово улучшают свое оружие.Как тюнинг делает его тише, удобнее и смертоноснее?17 ноября 2023
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活动现场，中科创星合伙人夏琳与香港大学汪鹏博士、香港大学机械工程系主任及大乙半导体创始人黄明欣教授、香港科技大学教授及智微新材料创始人杨晶磊教授、香港大学技术转移处副处长及Planck Biomedical联合创始人唐梅杰博士，以及MatraVolt Limited联合创始人刘震宇博士，围绕“AI时代下硬科技创业未来的机遇与挑战”话题展开讨论。值得一提的是，参与讨论的四位企业嘉宾均为中科创星投资的香港科技成果转化项目的创始人。
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Марина Совина (ночной редактор)
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